功率特性	大功率	型號(hào)	齊全
封裝形式	功率型	封裝材料	陶瓷封裝
材料	硅	結(jié)構(gòu)	平面型
頻率特性	中頻

PRX二極管R9G21412充電設(shè)備服務(wù)周到

整流二極管常用參數(shù)：
1、大平均整流電流IF：指二極管長期工作時(shí)允許通過的大正向平均電流。該電流由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時(shí)應(yīng)注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A；
2、高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V；
3、大反向電流IR：它是二極管在高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數(shù)反映了二極管單向?qū)щ娦阅艿暮脡?。因此這個(gè)電流值越小，表明二極管質(zhì)量越好；
4、擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r(shí)，則指給定反向漏電流條件下的電壓值；
5、高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的高工作頻率。主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復(fù)二極管用于頻率較高的交流電的整流，如開關(guān)電源中；
6、反向恢復(fù)時(shí)間trr：指在規(guī)定的負(fù)載、正向電流及大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時(shí)間；
7、零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時(shí)，擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號(hào)的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊(cè)中給出的參數(shù)往往是一個(gè)范圍，若測(cè)試條件改變，則相應(yīng)的參數(shù)也會(huì)發(fā)生變化，例如在25°C時(shí)測(cè)得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時(shí)IR則變?yōu)樾∮?00uA。

整流二極管的根本構(gòu)造是 PN 結(jié) （ P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體聯(lián)系后 ， 在兩者的聯(lián)系而構(gòu)成一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，這就是PN結(jié)）。在 PN 結(jié)的空間電荷內(nèi) ，電子元件勢(shì)能發(fā)生了變化 ，電子要從 N 區(qū)到 P 區(qū)有必要越過一個(gè)能量高坡 （ 通常稱為勢(shì)壘） ，因而又把空間電荷區(qū)稱為勢(shì)壘區(qū) 。當(dāng)PN結(jié)加正向電壓時(shí)，勢(shì)壘降低，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向分散電流，稱該狀況為正導(dǎo)游通狀況。當(dāng)PN結(jié)加反向電壓時(shí)，勢(shì)壘增加，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流 ，稱該狀況為反向阻斷狀況 ，此刻 PN 結(jié)處于反向偏置狀況。

整流二極管是面觸摸型二極管，結(jié)面積較大，能接受較大的正向電流和較高的反向電壓，功能比較穩(wěn)定，首要用在把溝通電變換成直流電的整流電路中。整流二極管的結(jié)電容較大 ，因而它不宜作業(yè)在高頻電路中 。整流二極管用半導(dǎo)體或硅等資料制成 ，具有顯著的單導(dǎo)游電性。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫功能杰出。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制作（摻雜較多時(shí)簡單反向擊穿）。整流二極管有金屬和塑料兩種封裝。整流二極管的首要技術(shù)參數(shù)包含大整流電流 、大反向作業(yè)電壓、反向飽和電流高作業(yè)頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等 。

一）普通二極管的檢測(cè)（包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關(guān)二極管、續(xù)流二極
管）是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娞匦?。通過用萬用表檢測(cè)其正、反向電阻
值，可以判別出二極管的電極，還可估測(cè)出二極管是否損壞。
1．極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測(cè)出一個(gè)
結(jié)果后，對(duì)調(diào)兩表筆，再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。兩次測(cè)量的結(jié)果中，有一次測(cè)量出的阻值較大（為反
向電阻），一次測(cè)量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測(cè)量中，黑表筆接的是
二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極。
2．單負(fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電
阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5 kΩ左右，反向電阻值為∞（無窮大）。正向電阻
越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向?qū)щ娞匦栽胶?br /> ?！∪魷y(cè)得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或
漏電損壞。若測(cè)得二極管的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極管已開路損壞。
3．反向擊穿電壓的檢測(cè)二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表測(cè)量。
其方法是：測(cè)量二極管時(shí)，應(yīng)將測(cè)試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài)，再將被測(cè)二極管
的正極接測(cè)試表的“C”插孔內(nèi)，負(fù)極插入測(cè)試表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”鍵，測(cè)
試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值。　也可用兆歐表和萬用表來測(cè)量二極管的反向擊穿
電壓、測(cè)量時(shí)被測(cè)二極管的負(fù)極與兆歐表的正極相接，將二極管的正極與兆歐表的負(fù)極相連，
同時(shí)用萬用表（置于合適的直流電壓檔）監(jiān)測(cè)二極管兩端的電壓。如圖4-71所示，搖動(dòng)兆歐表
手柄（應(yīng)由慢逐漸加快），待二極管兩端電壓穩(wěn)定而不再上升時(shí)，此電壓值即是二極管的反向
擊穿電壓。

早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)

PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來講，

晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間

電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流

和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。
晶體二極管，簡稱二極管（diode）；它只往一個(gè)方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個(gè)

零件號(hào)接合的2個(gè)端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動(dòng)或不流動(dòng)的性質(zhì)。晶體

二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有

自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于PN 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引

起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)

二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可
各種二極管的符號(hào)
各種二極管的符號(hào)
分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極

管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管

、旋轉(zhuǎn)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管

。點(diǎn)接觸型二極管是用一根很細(xì)的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲

一端與晶片牢固地?zé)Y(jié)在一起，形成一個(gè)“PN結(jié)”。由于是點(diǎn)接觸，只允許通過
貼片二極管
貼片二極管
較小的電流（不超過幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機(jī)的檢波等。面接觸型二極

管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直

流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而

且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。