功率半導體測試平臺功率器件測試設備
價格面議2025-02-27 16:12:06
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功率半導體測試平臺功率器件測試設備
普賽斯功率半導體測試平臺功率器件測試設備特點和優(yōu)勢：
單臺Z大3500V輸出；
單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；
15us的超快電流上升沿；
同步測量；
國標全指標的自動化測試；
可定制夾具；
nA級電流和uΩ級電阻測量；
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供
整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試。
普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)、大功率激光器老化測試系統(tǒng)等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。功率半導體測試平臺功率器件測試設備詳詢一八一四零六六三四七六
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