封裝外形

平板形

極數(shù)

三極

PRX可控硅C781PN各種類型的強迫換流器性能可靠

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉折電壓、正向平均漏電流、反向漏電流、斷態(tài)重復峰值電壓、反向重復峰值電壓、正向平均壓降 、通態(tài)平均電流、門觸發(fā)電壓、門觸發(fā)電流、門反向電壓和維持電流等，晶閘管有一個重要特點，就是它一旦導通后控制即失去控制作用，器件始終處于 導通狀態(tài)除非陽對陰電壓降低到很小，致使陽電流降到某一數(shù)值之下。

晶體管的主要參數(shù)：
1、反向阻斷峰值電壓：在額定結溫和控制開路的條件下，允許重復加在陽—陰間的大反向阻斷電壓；
2、正向阻斷峰值電壓：在額定結溫和控制開路及晶閘管正向阻斷的條件下，重復加在陽—陰間的大正向阻斷電壓；
3、正向平均電流：在規(guī)定環(huán)境溫度及散熱條件下，允許連續(xù)通過工頻正弦半波電流的平均值；
4、通態(tài)平均電壓: 晶閘管導通時管壓降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、維持電流：在室溫和控制開路時，元件能維持導通狀態(tài)所需的小陽電流；
6、控制觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流：在溫室下，陽—陰間加規(guī)定的正向直流電壓，使晶閘管導通所需的小控制電壓和電流。

晶閘管的過電壓保護 ：
1、過電壓：當加在晶閘管上的電壓超過額定電壓時稱為過電壓。
2、原因：電源變壓器的一次側斷開或接通、直流側感性負載的 切斷、快速熔斷器的熔斷、突然跳閘等。
3、措施：
①、阻容保護 ：吸收回路作用：一旦電路中發(fā)生過電壓，電容器被迅速充電，電容兩端的電壓不能突變，這就有效地抑制了過電壓。阻容吸收回路可以并聯(lián)在交流側、直流側或晶閘管側；
②、非線性電阻保護：目前常用的非線性電阻是金屬氧化物壓敏電阻，它具有正反向相同的很陡的電壓—電流特性；
電路正常工作時，壓敏電阻不擊穿，通過的漏電流很小。壓敏電阻在遇到過電壓時可通過高達數(shù)千安的放電電流，之后又恢復正常， 因此它抑制過電壓的能力很強；
由于壓敏電阻正反向特性對稱，單相電路中只用一只壓敏電阻，三相電路中用三只壓敏電阻。

晶閘管(SCR)
晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。
晶閘管的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統(tǒng)中,晶閘管在整流電路、靜態(tài)旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。
晶閘管的弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,容易受干擾而誤導通。
晶閘管從外形類主要有:螺栓形、平板形和平底形。

晶閘管的伏安特性
晶閘管陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽極電流之間關系稱為晶閘管伏安特性,如圖2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于第三象限。
(1) 反向特性
當門極G開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后,同時J3結也擊穿,電流迅速增加,如圖2的特性曲線OR段開始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉折電壓”。此后,晶閘管會發(fā)生性反向擊穿。
(2) 正向特性
當門極G開路,陽極A加上正向電壓時(見圖4),J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當電壓增加,如圖2的特性曲線OA段開始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉折電壓”。
由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后,J2結發(fā)生雪崩倍增效應,在結區(qū)產生大量的電子和空穴,電子進入N1區(qū),空穴進入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結注入N1區(qū)的空穴復合。同樣,進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結注入P2區(qū)的電子復合，雪崩擊穿后，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復合掉。這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍有增加,電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負阻特性，見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結均處于正偏，晶閘管便進入正向導電狀態(tài)——通態(tài),此時，它的特性與普通的PN結正向特性相似，如圖2的BC段。
(3) 觸發(fā)導通
在門極G上加入正向電壓時(如圖5所示),因J3正偏,P2區(qū)的空穴進入N2區(qū),N2區(qū)的電子進入P2區(qū),形成觸發(fā)電流IGT。在晶閘管的內部正反饋作用(如圖2)的基礎上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導通,導致圖2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷；實現(xiàn)將直流電變流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應用。
可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式底式三種。螺旋式應用較多。
可控硅有三個----陽(A)、陰(C)和控制(G)，管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結，與只有一個PN結的硅整流二管在結構上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y構和控制的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。可控硅應用時，只要在控制加上很小的電流或電壓，能控制很大的陽電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
我們可以把從陰向上數(shù)的、二、三層看面是一只N管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當在陽和陰之間加上一個正向電壓E，又在控制G和陰C之間(相當BG2的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號，BG2將產生基電流Ib2，經放大，BG2將有一個放大了β2倍的集電電流IC2。因為BG2集電與BG1基相連，IC2又是BG1的基電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電電流IC1送回BG2的基放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對可控硅來說，觸發(fā)信號加到控制，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。
可控硅一經觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基的電流已不只是初始的Ib2，而是經過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2)，這一電流遠大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關斷。當然，如果E性反接，BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。
可控硅這種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二管的重要特征。